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申请/专利权人：南亚科技股份有限公司
摘要：本公开提供一种具有气隙介电质的半导体结构及其制备方法。该方法包括形成一导电柱于一基板之上；形成一介电盖于该导电柱之上；将该导电柱的一侧壁部分转换为一第一介电部分；以及移除该第一介电部分，使得该介电盖的宽度大于该导电柱的剩余部分的宽度。
主权项：1.一种半导体结构，包括：一基板；多个导电柱，设置于该基板之上；多个介电柱，设置于该基板之上，且与所述多个导电柱分离；多个介电盖，设置于所述多个导电柱之上，且与所述多个介电柱分离；以及一密封层，设置于所述多个介电柱和所述多个介电盖之上，其中所述多个介电柱位于所述多个导电柱的一侧上的一底部宽度不同于所述多个介电柱位于所述多个导电柱的另一侧上的一底部宽度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南亚科技股份有限公司 具有气隙介电质的半导体结构及其制备方法
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