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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所

摘要：本发明涉及电子工程技术领域，特别涉及一种基于OpenOCD的芯片FLASH程序烧写方法。包括如下步骤：在OpenOCD中实现搬运数据的片上小程序以及FLASH驱动启动，并根据编译规则文件编译生成OpenOCD调试代理程序；配置OpenOCD配置文件，通过OpenOCD调试代理程序连通芯片，通过Telnet调试命令行下发FLASH调试命令；OpenOCD解析FLASH烧写命令，通过运行FLASH驱动程序，将片上小程序写入嵌入式芯片的RAM地址中并启动，片上小程序将OpenOCD写入RAM的烧写数据搬移至FLASH中，完成烧写。本发明烧写速度快，节约成本，可移植性高，提高了调试效率。

主权项：1.一种基于OpenOCD的芯片FLASH程序烧写方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：在OpenOCD中实现搬运数据的片上小程序以及FLASH驱动启动，并根据编译规则文件编译生成OpenOCD调试代理程序；步骤S2：配置OpenOCD配置文件，通过OpenOCD调试代理程序连通芯片，通过Telnet调试命令行下发FLASH调试命令；步骤S3：OpenOCD解析FLASH烧写命令，通过运行FLASH驱动，将片上小程序写入嵌入式芯片的RAM地址中并启动，片上小程序将OpenOCD写入RAM的烧写数据搬移至FLASH中，完成烧写；所述片上小程序包括：start功能模块，进行代码初始化工作，设置初始条件并进入等待状态；write_fifo功能模块，为一个循环，通过ARM通用寄存器r6加载写指针wp和ARM通用寄存器r5加载读指针rp；通过比较ARM通用寄存器r5和ARM通用寄存器r6的值，若相等则说明当前没有新数据可写，继续在write_fifo功能模块中等待；若不相等则说明当前有新数据可写，从读指针rp指向的地址读取数据并写入目标地址；同时需要检查读指针rp是否超出工作区范围，若未超过工作区末尾地址则直接跳转到no_warp功能模块继续执行；若超过或到达末尾工作区则重置读指针rp为工作区起始地址，重新开始使用工作区；no_warp功能模块，为环绕处理，处理读指针rp在工作区中的位置，确保读指针rp不会超出工作区的界限，如果读指针rp移动到工作区末尾之外，则no_wrap功能模块将读指针rp重置到工作区的开始，从而实现环绕；special_set功能模块，为特别处理的模块；busy忙等待功能模块，从闪存控制器的状态寄存器中读取当前状态，检查忙状态BSY位，当忙状态为1时，则跳转指令将执行流程重新跳转到busy标签，形成一个循环，直到BSY位清除为止；error功能模块，为处理写入过程中检测到的错误，且读指针rp置0；exit功能模块，为结束程序执行，通过ARM通用寄存器r0返回最终状态，并执行断点指令，标识程序正常执行。

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