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申请/专利权人：湖北工业大学
摘要：本发明提供了一种P型薄膜晶体管及其制备方法，上述P型薄膜晶体管包括基底、栅介质层、沟道层、源电极和漏电极，栅介质层形成于基底表面，沟道层形成于栅介质层表面；源电极和漏电极均形成于沟道层表面并与部分栅介质层相接触，且源电极与漏电极之间具有间隔，其中，沟道层包括交替设置的至少一个金属层和至少两个半导体氧化物层，每个金属层插入在两个相邻的半导体氧化物层之间；至少一个半导体氧化物层与栅介质层相接触。本发明通过在相邻两个半导体氧化物层之间插入金属层可以优化电导路径，减少界面散射对载流子迁移率的影响，降低载流子复合的可能性以提高迁移率，进而提高P型薄膜晶体管的开关比，最终提高P型薄膜晶体管的电学性能。
主权项：1.一种P型薄膜晶体管，其特征在于，包括基底、栅介质层、沟道层、源电极和漏电极，所述栅介质层形成于所述基底表面，所述沟道层形成于所述栅介质层表面；所述源电极和所述漏电极均形成于所述沟道层表面并与部分所述栅介质层相接触，且所述源电极与所述漏电极之间具有间隔；其中，所述沟道层包括交替设置的至少一个金属层和至少两个半导体氧化物层，每个所述金属层插入在两个相邻的所述半导体氧化物层之间；至少一个所述半导体氧化物层与所述栅介质层相接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北工业大学 一种P型薄膜晶体管及其制备方法
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