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申请/专利权人：佛山市中山大学研究院;中山大学
摘要：本发明公开了一种基于氢等离子掺杂技术的氧化镓功率器件及制备方法，涉及晶体管技术，针对现有技术中界面质量不足等问题提出本方案。器件包括层叠设置的衬底和氧化镓外延层；氧化镓外延层远离衬底的端面通过氢等离子掺杂处理形成图案化的n型沟道层；n型沟道层设有源极和漏极，在源极和漏极之间位置设有栅极；栅极与n型沟道层之间设有栅介质层进行电性隔离。优点在于，通过程能控制对氧化镓的表层电导进行有效调控，并通过钝化表面缺陷提高栅介质层与氧化镓的界面质量，无需外部掺杂剂，保证了材料纯度和可控性。该过程为非热、低能处理，减少了氧化镓晶格畸变和损伤，降低了制备成本，适用范围广、工艺难度低。
主权项：1.一种基于氢等离子掺杂技术的氧化镓功率器件，其特征在于，包括层叠设置的衬底101和氧化镓外延层102；所述氧化镓外延层102远离衬底101的端面通过氢等离子掺杂处理形成图案化的n型沟道层103；所述n型沟道层103一侧设有电性接触的源极201，另一侧设有电性接触的漏极202，在所述源极201和漏极202之间位置设有栅极203；所述栅极203与n型沟道层103之间设有栅介质层301进行电性隔离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 佛山市中山大学研究院 中山大学 一种基于氢等离子掺杂技术的氧化镓功率器件及制备方法
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