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申请/专利权人：合肥世纪金芯半导体有限公司
摘要：本实用新型涉及碳化硅单晶生长技术领域，尤其为一种PVT法大直径碳化硅单晶生长装置，包括炉体和冷却水箱，所述炉体为双层炉壁结构，所述炉体的双层炉壁之间设置有冷却腔，所述冷却腔内部固定设置有螺旋冷却管，所述炉体内部安装有加热器，所述加热器内侧设置有保温筒，所述保温筒底部筒壁内部固定设置有环形气管，所述环形气管上表面呈圆周阵列设置有分流气管，所述分流气管表面等距离固定连接有气嘴，所述保温筒顶部设置有保温盖，所述保温盖上开设有气道。本实用新型中，通过设置的环形气管、分流气管、螺旋冷却管和冷却水箱，加快装置冷却时间，有效提高冷却效率。
主权项：1.一种PVT法大直径碳化硅单晶生长装置，包括炉体1和冷却水箱8，其特征在于：所述炉体1为双层炉壁结构，所述炉体1的双层炉壁之间设置有冷却腔18，所述冷却腔18内部固定设置有螺旋冷却管19，所述炉体1内部安装有加热器17，所述加热器17内侧设置有保温筒11，所述保温筒11底部筒壁内部固定设置有环形气管20，所述环形气管20上表面呈圆周阵列设置有分流气管13，所述分流气管13表面等距离固定连接有气嘴12，所述保温筒11顶部设置有保温盖16，所述保温盖16上开设有气道14。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥世纪金芯半导体有限公司 一种PVT法大直径碳化硅单晶生长装置
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