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一种IGBT芯片结构 

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申请/专利权人:深圳市齐飞半导体有限公司

摘要:本实用新型公开了一种IGBT芯片结构,包括芯片本体,所述芯片本体镶嵌固定芯片加强结构的内部;芯片加强结构包括外衬套,且外衬套的内部开设容纳槽,同时容纳槽与芯片本体的尺寸相适配,并且芯片本体卡装在容纳槽的内部,容纳槽的底部固定设置加强片,外衬套和加强片组合在一起构成芯片本体的抗应力组件。该IGBT芯片结构,将芯片本体镶嵌固定在外衬套的内部,并覆盖在加强片的表面,外衬套套装在芯片本体对的外侧,使得芯片本体的外侧形成一件“铠甲”;当芯片本体在受力的时候,外衬套和加强片同时工作,可对此应力进行对抗,避免芯片本体发生弯折损坏,增加芯片本体的整体强度。

主权项:1.一种IGBT芯片结构,包括芯片本体(1),其特征在于:所述芯片本体(1)镶嵌固定芯片加强结构(2)的内部;芯片加强结构(2)包括外衬套(21),且外衬套(21)的内部开设容纳槽(22),同时容纳槽(22)与芯片本体(1)的尺寸相适配,并且芯片本体(1)卡装在容纳槽(22)的内部,容纳槽(22)的底部固定设置加强片(23),外衬套(21)和加强片(23)组合在一起构成芯片本体(1)的抗应力组件。

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