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一种原子层沉积设备 

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申请/专利权人:浙江晶盛机电股份有限公司;浙江求是创芯半导体设备有限公司

摘要:本申请实施例提供了一种原子层沉积设备,该原子层沉积设备包括反应腔室与流量控制环;反应腔室包括第一腔室和第二腔室,第二腔室上设有定位组件,定位组件包括固定件和套设在固定件外侧的调整件;流量控制环,流量控制环固定至第二腔室,流量控制环上设置有定位孔,定位孔与定位组件相互配合,定位孔套设在调整件的外侧。本申请中在原子层沉积设备的第二腔室中设置具有一定调节范围的定位组件,同时在流量控制环上设置与定位组件配套的定位孔,通过定位组件和定位孔的相互配合,降低流量控制环与第二腔室之间的安装难度,提高流量控制环与第二腔室之间的安装精度。

主权项:1.一种原子层沉积设备,其特征在于,包括:反应腔室,所述反应腔室包括第一腔室和第二腔室,所述第二腔室上设有定位组件,所述定位组件包括固定件和套设在所述固定件外侧的调整件;流量控制环,所述流量控制环固定至所述第二腔室,所述流量控制环上设置有定位孔,所述定位孔与所述定位组件相互配合,所述定位孔套设在所述调整件的外侧。

全文数据:

权利要求:

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