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申请/专利权人：日产化学株式会社
摘要：本发明的课题是提供1GHz下的介质损耗角正切为0.01以下的二氧化硅粒子及其分散液。解决手段是满足下述i、ii、和iii的事项的、1GHz下的介质损耗角正切为0.01以下的二氧化硅粒子及其分散液，i平均一次粒径为5nm～120nm，ii采用水蒸气吸附而测得的比表面积SH2O与采用氮吸附而测得的比表面积SN2之比SH2OSN2为0.6以下，iii下述式1所示的全部硅烷醇基率为5％以下，全部硅烷醇基率％＝Q2×24+Q3×14+Q4×04····式1[在式1中，Q2、Q3、Q4表示二氧化硅粒子的硅原子中的Q2结构、Q3结构和Q4结构的含有比率。]。
主权项：1.一种二氧化硅粒子，其满足下述i、ii、和iii的事项，且1GHz下的介质损耗角正切为0.009以下，i平均一次粒径为5nm～120nm，ii采用水蒸气吸附而测得的比表面积SH2O与采用氮吸附而测得的比表面积SN2之比即SH2OSN2为0.6以下，iii下述式1所示的全部硅烷醇基率为5％以下，全部硅烷醇基率％＝Q2×24+Q3×14+Q4×04式1在式1中，Q2、Q3、Q4分别为通过29SiNMR测定而获得的来源于各硅原子的结构的峰面积相对于来源于硅原子的结构的峰面积的合计100％的比例，其单位是％，Q2表示来源于结合有2个氧原子和2个羟基的硅原子的结构的峰面积的比例，Q3表示来源于结合有3个氧原子和1个羟基的硅原子的结构的峰面积的比例，Q4表示来源于结合有4个氧原子的硅原子的结构的峰面积的比例，所述二氧化硅粒子的表面的至少一部分被具有选自烷基、碳原子数6～12的芳基、和具有不饱和键的取代基中的至少1个取代基的有机硅化合物被覆着。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日产化学株式会社 低介质损耗角正切二氧化硅溶胶及低介质损耗角正切二氧化硅溶胶的制造方法
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