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申请/专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
摘要：本申请提供了一种背接触电池的制备方法与背接触电池，所述制备方法包括对硅基底进行表面处理后，在所述硅基底的两侧表面制备正面掺杂源层与背面掺杂源层；再进行扩散，同时形成前表面场层、第一掺杂层与第二掺杂层；然后，对所述硅基底依次进行清洗、镀膜与金属化。上述制备方法在硅基底背面部分区域以及正面制备背面掺杂源层与正面掺杂源层，经一次扩散便可同时完成第一掺杂层、第二掺杂层及前表面场层的制备，简化工艺，降低设备需求及生产成本，缩减电池制备周期，提高电池成品率。
主权项：1.一种背接触电池的制备方法，其特征在于：对硅基底进行表面处理；在硅基底的两侧表面制备正面掺杂源层与背面掺杂源层，所述正面掺杂源层与背面掺杂源层采用既定浆料并经网版印刷得到，所述硅基底具有对应于所述背面掺杂源层的第一区域及与所述第一区域相邻的第二区域；扩散，使得所述硅基底的正面形成前表面场层，所述第一区域的背面形成掺杂类型与所述前表面场层一致的第一掺杂层，所述第二区域的背面形成掺杂类型与所述第一掺杂层相反的第二掺杂层，所述前表面场层与第一掺杂层中的掺杂元素为磷；所述第二掺杂层中的掺杂元素为硼；所述扩散步骤所采用的反应气体包括BBr3；依次进行清洗、镀膜与金属化；其中，所述扩散步骤包括第一扩散阶段、第二扩散阶段、第三扩散阶段，所述第一扩散阶段B原子扩散进入硅基底，温度设置为860～1050℃；所述第二扩散阶段B原子以及正面掺杂源层、背面掺杂源层中的P原子向硅基底内部推进，温度设置为960～1300℃，所述第三扩散阶段在硅基底的第二区域的背面氧化形成BSG，温度设置为860～1050℃。
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权利要求：
百度查询： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 阿特斯阳光电力集团股份有限公司 背接触电池的制备方法及背接触电池
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