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申请/专利权人:上海欣帕电子科技有限公司
摘要:本发明涉及一种陶瓷PTC热敏电阻材料及其制备工艺,属于PTC热敏电阻材料技术领域。包括以下质量份数组分:50~70份掺杂铌和钌的钛酸钡、5~10份烧结助剂、10~20份改性硼化硅、1~3份分散剂和4~6份粘结剂;其中所述硼化硅通过激光表面处理和甘氨酸浸渍后高温焙烧处理,本发明制备的陶瓷热敏电阻材料的居里温度高、耐压高、升阻比高,且工艺简单,烧结条件要求低、易控制,制备的陶瓷热敏电阻材料的性能更优异。
主权项:1.一种陶瓷PTC热敏电阻材料,其特征在于,包括以下质量份数组分:50~70份掺杂铌和钌的钛酸钡、5~10份烧结助剂、10~20份改性硼化硅、1~3份分散剂和4~6份粘结剂;其中所述掺杂铌和钌的钛酸钡的制备过程如下:先将50~70份钛酸钡、0.1~0.15份氧化铌粉体、0.1~0.15份氧化钌粉体在烘箱中烘干,以无水乙醇作为球磨介质,在球磨机上进行球磨充分混合均匀,将混合粉体在1100~1200℃下保温2~4h进行固相烧结,反应完成后的粉体再进行球磨混合得到铌和钌掺杂的钛酸钡;所述改性硼化硅的制备过程如下:S21、在氮气气氛下,对硼化硅进行激光处理得到预处理的硼化硅,所述激光处理时激光的脉宽为5~20ps,激光的功率为25~50W,激光频率为2~4MHz;S22、在50~60℃条件,在去离子水中加入质量份数为1:1的甘氨酸和预处理的硼化硅,超声处理0.5~1h后制得均匀分散的混合液,继续加热至100~110℃,在搅拌条件下使水分蒸干,收集所得固体进行干燥;S23、将干燥后的固体移入管式炉中进行焙烧于高纯氮气中,以900~1000℃煅烧2~3h,冷却至室温后进行粉碎,即得所述改性硼化硅;所述陶瓷PTC热敏电阻材料的制备工艺包括以下过程:S71、按质量份数,将掺杂铌和钌的钛酸钡、烧结助剂、改性硼化硅充分混合均匀后,得到混合物;S72、将同等质量份数的混合物与去离子水通过球磨机以500~700rmin的转速球磨8~10h,得到混合物浆料;S73、将混合物浆料静置4~8h后进行浆料除杂,再加入粘合剂和分散剂搅拌12h得到雾化液,将雾化液经雾化器加热转动喷雾至喷雾塔内,进行造粒,造粒完成后再在冲压机以5~10T的吨位进行加压成形,得到坯体材料;S74、将坯体材料放入马弗炉中,在600~800℃的高温下保温2~4h,进行预烧结处理;S75、以3~5℃min的升温速率将温度加热到1400~1500℃,并保温2~6h,并在800~900℃下进行退火处理5~6h,冷却至室温后得到所述陶瓷PTC热敏电阻材料。
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