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申请/专利权人：杭州应星新材料有限公司
摘要：本发明公开了一种等离子体原位聚合硅油改性二氧化硅的方法，包括以下步骤：亲水气相二氧化硅传送；等离子体化改性；热处理；降温收集。本发明采用等离子体原位聚合工艺，在气相二氧化硅表面形成特种硅油，整个过程中无需太高的热处理温度，过程更安全；同时原位合成硅油避免了喷雾法雾滴聚集二氧化硅形成的聚集体，聚集体需要更大的剪切力才能分散，本发明工艺制备的疏水气相二氧化硅分散状态与未改性的亲水气相二氧化硅基本一致，更便于应用；另外本发明的疏水气相二氧化硅表面硅油由等离子体原位聚合而成，硅油可以比雾化法更加均匀得分布在气相二氧化硅表面。
主权项：1.一种等离子体原位聚合硅油改性二氧化硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：1将亲水气相二氧化硅置于等离子体传送带上；2在常压或低压环境下，将有机物单体为原料的等离子体喷溅在气相二氧化硅表面；3在氮气气氛下50℃-300℃进行热处理；4冷却降温，收集所得气相二氧化硅，得到硅油改性疏水气相二氧化硅，所述有机物单体选自烷基环硅氧烷或直链烷基硅烷中的一种或几种的组合；所述烷基环硅氧烷选自二甲基环状硅氧烷、六甲基环三硅氧烷、八甲基环四硅氧烷、十甲基环五硅氧烷、十二甲基环六硅氧烷、十四甲基环七硅氧烷、十六烷基环八硅氧烷中的一种或几种的组合，所述直链烷基硅烷为六甲基硅氮烷和氨丙基三甲氧基硅烷的混合有机物单体；所述六甲基硅氮烷和氨丙基三甲氧基硅烷的质量比为1-5：1；所述步骤3中热处理的位置选自等离子体处理仓或热处理釜中的一种，热处理的时间为0.5-6h，所述步骤2中常压环境为1-1000Mbar，低压环境为0.1-1Mbar，等离子体传送带上亲水气相二氧化硅的铺料厚度为3cm。
全文数据：
权利要求：
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