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申请/专利权人：美光科技公司
摘要：本申请涉及包括具有至少部分凹入沟道区域内的栅极电极的垂直晶体管的设备以及相关方法和系统。一种设备包含具有沟道区域的至少一个垂直晶体管。所述沟道区域包含具有第一宽度的上部区域和位于所述上部区域下方并且具有小于所述第一宽度的第二宽度的下部区域。所述上部区域限定横向延伸超出所述下部区域的至少一个悬垂部分。所述至少一个垂直晶体管进一步包含至少部分垂直地位于所述沟道区域的所述上部区域的所述至少一个悬垂部分之下的栅极电极。还公开了另外的设备和相关系统和方法。
主权项：1.一种电子设备，其包括：第一垂直晶体管；第二垂直晶体管，其与所述第一垂直晶体管相邻，所述第一垂直晶体管和所述第二垂直晶体管中的每一个包括：沟道区域，其包括：上部区域，其具有第一宽度；和下部区域，其位于所述上部区域下方并且具有小于所述第一宽度的第二宽度，并且其中所述上部区域限定横向延伸超出所述下部区域的至少一个悬垂部分；和栅极电极，每个栅极电极具有垂直地位于所述沟道区域的所述上部区域的所述至少一个悬垂部分之下的第一部分和延伸超过所述沟道区域的所述上部区域的所述至少一个悬垂部分的第二部分；栅极介电材料，其与所述栅极电极相邻；导电触点，其位于所述栅极电极下面；以及绝缘结构，所述绝缘结构直接介于所述第一垂直晶体管的栅极电极和所述第二垂直晶体管的栅极电极之间，所述绝缘结构的绝缘材料直接介于所述第一垂直晶体管的沟道区域的上部区域和所述第二垂直晶体管的沟道区域的上部区域之间，且所述绝缘结构的所述绝缘材料直接垂直地介于所述栅极介电材料和位于所述栅极电极下面的区域中的所述导电触点之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 包括具有至少部分凹入沟道区域内的栅极电极的垂直晶体管的设备以及相关方法和系统
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