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申请/专利权人：苏州雨竹机电有限公司
摘要：本发明所提供的气相沉积晶圆温度控制结构及方法，是于晶圆受热过程中，利用温控气体通过晶圆的边缘或非反应面，以调控晶圆的受热分布情形。例如当温控气体中包含带热功能较差的氮气时，会得到晶圆边缘温度较高的温度分布结果，又当温控气体中包含带热能力较强的氢气时，会得到晶圆边缘温度接近中心温度的均匀分布结果。
主权项：1.一种气相沉积晶圆温度控制结构，其特征在于，包含：一晶圆承载装置，包含：一晶圆定位通孔，该晶圆定位通孔供一晶圆置入，该晶圆定位通孔大于该晶圆，以对应于该晶圆的边缘形成一温控间距，该晶圆定位通孔内设有多个承载指，以撑托该晶圆的边缘；一热源面，该热源面与该晶圆保持一受热间距；一碟盘，该碟盘的中央设有该晶圆定位通孔，该碟盘的边缘设有一呈环状的衔接部；及一大盘模块，该碟盘定位于该大盘模块，该大盘模块具有至少一个碟盘槽，该碟盘槽设有一环槽沟，以供该衔接部置入，该环槽沟衔接一入气引道，该入气引道相对于与该环槽沟的衔接角度的切线方向分量大于径向方向分量；以及一温控气体供应单元，衔接于该晶圆承载装置的该入气引道，并朝向该入气引道、该环槽沟与该温控间距供应温控气体，以使该温控气体通过该晶圆的边缘；其中，该入气引道引入该温控气体，该温控气体施力于该衔接部使该碟盘悬浮与旋转，使该碟盘于旋转的状态下带动该晶圆的旋转。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州雨竹机电有限公司 气相沉积晶圆温度控制结构及方法
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