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集成闭环式磁场传感器 

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申请/专利权人:珠海多创科技有限公司

摘要:集成闭环式磁场传感器,包括:衬底;设置于所述衬底上的磁阻传感层,所述磁阻传感层上设置有用于向外输出电压信号的输出端;设置于所述磁阻传感层上的绝缘层;设置于所述绝缘层上的磁电复合层,所述磁电复合层包括位于所述绝缘层上的铁磁层和位于所述铁磁层上的压电层,所述铁磁层上设置有用于接收反馈电压的电压加载端。本发明的闭环式磁场传感器,采用磁电薄膜作为传感器的磁场反馈部分,磁电薄膜将电压转化为内部磁场的变化,从而可以在芯片内部形成闭环结构,大幅降低了磁场传感器的重量和体积,同时配合作为磁场的探测部分的磁阻芯片,传感器可以获得高的灵敏度以及大的线性范围,且实现了低功耗。

主权项:1.集成闭环式磁场传感器,其特征在于,包括:衬底;设置于所述衬底上的磁阻传感层,所述磁阻传感层上设置有用于向外输出电压信号的输出端;所述磁阻传感层为桥式结构;当外部磁场发生变化时,所述磁阻传感层会输出相应的电压;所述输出端与外部的放大电路相连,将所述磁阻传感层的电压信号输出至所述放大电路;设置于所述磁阻传感层上的绝缘层;设置于所述绝缘层上的磁电复合层,所述磁电复合层包括位于所述绝缘层上的铁磁层和位于所述铁磁层上的压电层,所述铁磁层上设置有用于接收反馈电压的电压加载端;所述放大电路与所述电压加载端连接,用于将所述电压信号放大后反馈至所述磁电复合层,反馈电压加载在所述磁电复合层,影响所述外部磁场的分布。

全文数据:

权利要求:

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