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申请/专利权人：无锡芯感智半导体有限公司

摘要：本发明涉及一种四分区自检测流量传感器芯片的制备方法。包括提供衬底；制作支撑结构层；制作一层铂薄膜电阻层，对铂薄膜电阻层光刻图形化后形成中心热源结构，中心热源结构呈十字结构；制作上游测温元件热电堆和下游测温元件热电堆；通过等离子体增强化学气相沉积法在芯片顶面沉积一层钝化层；在钝化层表面制作一层只覆盖在芯片的中心热端位置上方的遮光隔热层；通过等离子体增强化学气相沉积法在衬底背面沉积一层阻挡层；通过深硅刻蚀对衬底进行背面刻蚀，将芯片的中心热端位置进行释放，形成背面释放腔，背面释放腔贯穿于阻挡层并延伸至支撑结构层。本发明克服了不适于多方向的气体流入的流量监测且热量容易向外扩散的问题。

主权项：1.一种四分区自检测流量传感器芯片的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底（1）；在所述衬底（1）表面制作支撑结构层；在所述支撑结构层上制作一层铂薄膜电阻层，对所述铂薄膜电阻层光刻图形化后形成中心热源结构（4），所述中心热源结构（4）呈十字结构；在所述支撑结构层上分别制作上游测温元件热电堆（13a）和下游测温元件热电堆（13b）；通过等离子体增强化学气相沉积法在芯片顶面沉积一层钝化层（9）；在所述钝化层（9）表面制作一层只覆盖在芯片的中心热端位置上方的遮光隔热层（10）；通过等离子体增强化学气相沉积法在所述衬底（1）背面沉积一层阻挡层（11）；通过深硅刻蚀对所述衬底（1）进行背面刻蚀，将芯片的中心热端位置进行释放，形成背面释放腔（12），所述背面释放腔（12）贯穿于所述阻挡层（11）并延伸至所述支撑结构层；其中，设置有四组热电堆测温元件，包括第一上游热电堆测温元件（14）、第一下游热电堆测温元件（16）、第二上游热电堆测温元件（15）和第二下游热电堆测温元件（17）；所述第一上游热电堆测温元件（14）和所述第二上游热电堆测温元件（15）均包括多排平行设置的所述上游测温元件热电堆（13a），所述第一下游热电堆测温元件（16）和所述第二下游热电堆测温元件（17）均包括多排平行设置的所述下游测温元件热电堆（13b）；所述第一上游热电堆测温元件（14）和所述第一下游热电堆测温元件（16）分别以所述中心热源结构（4）的十字为XY轴坐标系的45°轴对称设置且长度方向与135°轴平行；所述第二上游热电堆测温元件（15）和所述第二下游热电堆测温元件（17）分别以所述中心热源结构（4）的十字XY轴坐标系的135°轴对称设置且长度方向与45°轴平行；所述第一上游热电堆测温元件（14）分别与所述第二上游热电堆测温元件（15）沿X轴对称设置以及与所述第二下游热电堆测温元件（17）沿Y轴对称设置。

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