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申请/专利权人：福建金石能源有限公司
摘要：本发明属于硅异质结电池技术领域，具体涉及一种双面微晶异质结电池及其制造方法和光伏组件，包括硅片，在硅片正面设置的第一本征硅层，在硅片背面设置的第二本征非晶硅层，还包括：在第一本征硅层外表面依次设置的N型微晶硅氧掺杂层和N型微晶硅掺杂层，在第二本征非晶硅层外表面依次设置的P型微晶碳化硅掺杂层和P型微晶硅掺杂层，并控制膜层厚度和晶化率之比。本发明能够有效地提高双面微晶异质结电池的电导率，增加背面的透光率，减少光由背面进入双面微晶异质结电池的光损失，从而提升双面微晶异质结电池的转换效率。
主权项：1.一种双面微晶异质结电池，包括硅片，在硅片正面设置的第一本征硅层，在硅片背面设置的第二本征非晶硅层，其特征在于，还包括：在第一本征硅层外表面依次设置的N型微晶硅氧掺杂层和N型微晶硅掺杂层，在第二本征非晶硅层外表面依次设置的P型微晶碳化硅掺杂层和P型微晶硅掺杂层，P型微晶硅掺杂层、P型微晶碳化硅掺杂层和N型微晶硅氧掺杂层、N型微晶硅掺杂层的厚度之比为1：0.25-0.5：0.6-1：0.6-1，P型微晶硅掺杂层、P型微晶碳化硅掺杂层和N型微晶硅氧掺杂层、N型微晶硅掺杂层的晶化率之比为1：0.5-0.9：0.5-1：0.5-1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 福建金石能源有限公司 一种双面微晶异质结电池及其制造方法和光伏组件
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