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申请/专利权人：山西第三代半导体技术创新中心有限公司
摘要：本发明公开了碳化硅芯片的场氧化层制备方法，具体涉及碳化硅芯片制备技术领域，包括S1、初步处理，S2、检测识别，S3、晶圆处理，S4、双次校对，S5、去除操作，S6、晶圆检测，S7、清洗与退火，S8、最终检测，通过测量光在氧化硅薄膜表面反射后的偏振状态变化。本发明使用高分辨率的图像采集CCD相机对坚膜后的图形进行拍摄，拍摄获取清晰的图像，图像采集过程中光线充足、包括去噪、增强对比度、边缘检测，从预处理后的图像中提取关键特征：线条宽度、间距、形状，检查是否存在偏差或缺陷，比对分析时，可采用自动比对算法的方式，实现自动检测每一步制备是否合格。
主权项：1.碳化硅芯片的场氧化层制备方法，其特征在于：包括具体步骤如下：S1、初步处理，在氧化硅介质层上旋涂光刻胶，在120-150℃温度下烘烤120-150s后曝光；再在120-150℃温度下烘烤60-80s，再进行显影，坚膜；S2、检测识别，使用高分辨率的图像采集CCD相机对坚膜后的图像进行拍摄，若存在偏差或缺陷，需根据具体情况进行返工；S3、晶圆处理，将晶圆在氧气、氮气和真空的保护环境中，进行扫胶20秒，确保光刻显影区域无光刻胶残留；S4、双次校对，高分辨率的图像采集设备对涂有光刻胶的晶圆进行扫描，获取清晰的图像，图像分析算法双次检测，根据双次检测的结果，判定晶圆是否合格；S5、去除操作，用干法刻蚀工艺刻蚀700-900nm左右厚度的氧化硅，在BOE溶液中浸泡100-120s腐蚀掉剩余厚度的氧化硅；S6、晶圆检测，使用高分辨率的光学显微镜观察晶圆表面5-10次，对比刻蚀前后的图像，检查氧化硅层是否被完全去除，观察氧化硅层的表面形貌，判断是否有残留；S7、清洗与退火，在场氧刻蚀完成后，晶圆需要处理后退火；S8、最终检测，通过测量光在氧化硅薄膜表面反射后的偏振状态变化，精确测定薄膜的厚度，查看是否在设计范围内。
全文数据：
权利要求：
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