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申请/专利权人：微芯片技术股份有限公司
摘要：本发明提供了一种形成部分硅化的元件的方法。形成包括基部结构上的硅化物层的硅化结构。在硅化结构上方形成介电区。蚀刻介电区以形成暴露硅化物层的第一区域的接触开口和暴露硅化物层的第二区域的槽开口。沉积保形金属以a填充接触开口以限定接触，并且b在槽开口中形成杯形金属结构。执行另一蚀刻，以去除槽开口中的杯形金属结构，去除下面的硅化物层第二区域并暴露基部结构的下面区域，其中硅化物层的第一区域保持完整。具有完整硅化物层第一区域和去除了的硅化物层第二区域的基部结构限定了部分硅化的元件。
主权项：1.一种方法，所述方法包括：在基部结构上形成包括硅化物层的硅化结构；在所述硅化结构上形成介电区；执行第一蚀刻工艺，以在所述介电区中形成接触开口和槽开口，所述接触开口暴露所述硅化物层的第一区域，并且所述槽开口暴露所述硅化物层的第二区域；在所述介电区上沉积保形金属，所沉积的保形金属a填充所述接触开口以限定导电连接到所述硅化物层的所述第一区域的接触件，并且b在所述槽开口中形成杯形金属结构；执行第二蚀刻工艺，以将所述杯形金属结构从所述槽开口去除，去除所述硅化物层的所述第二区域并暴露所述硅化物层的所述第二区域下方的所述基部结构的区域，其中所述硅化物层的所述第一区域在所述第二蚀刻工艺之后保持完整；其中具有所述硅化物层的所述完整第一区域和去除了所述硅化物层的所述第二区域的所述基部结构限定了部分硅化的元件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 微芯片技术股份有限公司 形成部分硅化的元件
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