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申请/专利权人：半导体元件工业有限责任公司
摘要：本公开涉及半导体衬底处理方法。公开了一种在半导体衬底上形成多个半导体器件的方法，所述方法的实施方式可包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面、第二表面、尺寸和厚度，其中所述第二表面与所述第一表面相对，并且所述厚度在所述第一表面和所述第二表面之间。所述方法可包括通过多个半导体器件制造工艺处理所述半导体衬底以在所述第一表面上形成多个半导体器件。所述厚度可介于100微米和575微米之间，并且所述尺寸可为150mm。所述半导体衬底可不与载体或支撑件耦接。
主权项：1.一种在半导体衬底上形成多个半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面、第二表面、尺寸和厚度，其中所述第二表面与所述第一表面相对，并且所述厚度在所述第一表面和所述第二表面之间；以及通过多个半导体器件制造工艺处理所述半导体衬底以在所述第一表面上形成多个半导体器件；其中所述厚度介于70微米和200微米之间，并且所述尺寸为100毫米；其中所述厚度是在所述第一表面上形成所述多个半导体器件之前预先处理的厚度；并且其中所述半导体衬底被配置为在所述半导体衬底的处理过程中直接耦接到卡盘。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 半导体元件工业有限责任公司 半导体衬底处理方法
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