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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种双自对准MOSFET的制造方法，提供衬底，在衬底上形成外延层，利用离子注入在外延层上形成阱区，在阱区上形成掩模层；打开有源区和栅极引出区上的掩模层以在其上形成凹槽，之后在凹槽的侧壁上形成第一侧墙，利用掩模层和第一侧墙为掩模刻蚀裸露的外延层，以形成自对准的栅极沟槽；在栅极沟槽中形成沟槽栅极结构；形成填充第一侧墙之间空间的接触孔纵向介质层，去除第一侧墙，形成覆盖有源区和栅极引出区上的第一光刻胶层，光刻打开有源区上的第一光刻胶层，以掩模层和接触孔纵向介质层为掩模进行自对准离子注入，以在裸露的外延层的上表面形成源区。本发明无需接触孔硅刻蚀即可将阱区引出；可进一步降低接触孔光刻偏移对器件的不良影响。
主权项：1.一种双自对准MOSFET的制造方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成外延层，利用离子注入在所述外延层上形成阱区，在所述阱区上形成掩模层；步骤二、打开有源区和栅极引出区上的所述掩模层以在其上形成凹槽，之后在所述凹槽的侧壁上形成第一侧墙，利用所述掩模层和第一侧墙为掩模刻蚀裸露的所述外延层，以形成自对准的栅极沟槽；步骤三、在所述栅极沟槽中形成沟槽栅极结构；步骤四、形成填充所述第一侧墙之间空间的接触孔纵向介质层，去除所述第一侧墙，形成覆盖所述有源区和栅极引出区上的第一光刻胶层，光刻打开所述有源区上的所述第一光刻胶层，以所述掩模层和所述接触孔纵向介质层为掩模进行自对准离子注入，以在裸露的所述外延层的上表面形成源区；步骤五、去除剩余的所述第一光刻胶层，去除掩模层，形成覆盖所述有源区和栅极引出区上的第二侧墙介质层；步骤六、形成覆盖所述第二侧墙介质层的第二光刻胶层，光刻打开所述有源区上以及所述栅极引出区中所述接触孔纵向介质层上方的所述第二光刻胶层，之后回刻蚀所述第二侧墙介质层形成自对准接触孔；步骤七、形成填充所述自对准接触孔的金属层。
全文数据：
权利要求：
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