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申请/专利权人：华东光电集成器件研究所
摘要：本发明提供一种MEMS器件制备方法，它包括以下步骤：在SOI硅片（1）上设置敏感结构层2，在双抛硅片（4）上表面一侧制作引线结构层（9），在双抛硅片（4）下表面一侧制备一组金属PAD点（10），将双抛硅片（4）与SOI硅片（1）键合在一起。本发明结构简单，实施方便，降低器件的工艺难度、加工成本和可靠性风险，可以实现MEMS器件的批量生产。
主权项：1.一种MEMS器件制备方法，其特征在于：它包括以下步骤S1:取SOI硅片（1），所述SOI硅片（1）其包括顶层硅（a、埋氧层b和衬底层c，在顶层硅（a上通过光刻、硅刻蚀、去胶步骤制作出贯通顶层硅（a的敏感结构层2；S2:利用VHF在去除SOI硅片（1）除了支撑锚点区域以外的埋氧层（b）,使得敏感结构层悬空；S3:取双抛硅片（4），在双抛硅片（4）上通过光刻、硅刻蚀、去胶，制作TSV通孔（5）；S4:将双抛硅片（4）氧化，在双抛硅片（4）的上、下表面和TSV通孔（5）的孔壁上均形成氧化层（6）；S5:在TSV通孔（5）内填充有poly硅（7）；S6:在双抛硅片（4）上表面的氧化层（6）上制作有多晶硅层（8）；S7:通过光刻、硅刻蚀、去胶，从而去除相邻的TSV通孔（5）之间的多晶硅层（8）和其下方的氧化层（6），从而形成图像化的引线结构层（9）；S8:利用键合工艺将带有SOI硅片1的顶层硅（a与多晶硅层（8）结合在一起，使得引线结构层（9）与敏感结构层2相互连通；S9:在双抛硅片（4）下表面的氧化层（6）上制作金属PAD点（10），金属PAD（10）的一面与poly硅（7）贴合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华东光电集成器件研究所 一种MEMS器件制备方法
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