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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司

摘要：本发明提供一种集成LDMOS与SGT器件的制造方法，提供第一导电类型的衬底，衬底上包括LDMOS器件的形成区以及SGT器件的形成区，在衬底上形成第二导电类型的埋层，之后在衬底上形成第一导电类型的外延层；在外延层上形成第一深沟槽，第一深沟槽的底端延伸至衬底上；于第一深沟槽围成的范围内的外延层上形成第二深沟槽，第二深沟槽的底端延伸至埋层上；在第一、二深沟槽中分别形成第一、二深沟槽隔离结构；在外延层上形成SGT器件的部分结构；在外延层上利用离子注入形成SGT器件的第一阱区；利用离子注入形成LDMOS器件的体区、漂移区以及形成于漂移区上的第二阱区。本发明将SGT器件与LDMOS进行整合，为智能高边开关芯片的制造提供解决方案，提升产品竞争力。

主权项：1.一种集成LDMOS与SGT器件的制造方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供第一导电类型的衬底，所述衬底上包括LDMOS器件的形成区以及SGT器件的形成区，在所述衬底上形成第二导电类型的埋层，之后在所述衬底上形成第一导电类型的外延层；步骤二、延所述埋层的边界处，在所述外延层上形成第一深沟槽，所述第一深沟槽的底端延伸至所述衬底上；于所述第一深沟槽围成的范围内的所述外延层上形成第二深沟槽，所述第二深沟槽的底端延伸至所述埋层上；步骤三、在所述第一、二深沟槽中分别形成第一、二深沟槽隔离结构；所述第一深沟槽隔离结构用于隔离LDMOS器件与其他器件，所述第二深沟槽隔离结构用于隔离LDMOS器件中的元胞区以及终端区；在所述外延层上形成的用于定义出有源区的浅沟槽隔离；步骤四、在所述外延层上形成SGT器件的部分结构，其包括：形成于所述外延层上的第一沟槽以及位于所述第一沟槽侧方处的第二沟槽；在所述第一、二沟槽中形成第一电介质层和第一栅极多晶硅层，其中所述第一电介质层和所述第一栅极多晶硅层位于所述第一沟槽的下端、以及位于所述第二沟槽中；隔离介质层，其形成在所述第一中的所述第一栅极多晶硅层上；第二电介质层，其形成在第一沟槽中以及所述外延层上；填充剩余所述第一沟槽的第二栅极多晶硅层；在所述外延层上利用离子注入形成SGT器件的第一阱区，所述第一阱区为第一导电类型；步骤五、利用离子注入形成LDMOS器件的体区、漂移区以及形成于所述漂移区上的第二阱区，所述体区为第二导电类型，所述漂移区和所述第二阱区为第一导电类型；步骤六、在所述外延层上形成LDMOS器件的栅极结构，所述栅极结构的一端延伸至所述体区上，其另一端延伸至相邻所述漂移区上的所述浅沟槽隔离上；形成位于所述第一阱区、所述第二阱区、所述体区上的重掺杂区；所述第二阱区上的所述重掺杂区作为LDMOS器件的漏端，所述体区上的所述重掺杂区作为LDMOS器件的源端；所述第一阱区上的所述重掺杂区作为SGT器件的源端；步骤七、在所述衬底正面形成引出LDMOS器件和SGT器件的金属互连结构；在所述衬底背面形成金属层作为SGT器件的漏端。

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