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基于NBTI效应的ADC电路退化评估方法及相关装置 

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申请/专利权人:广东工业大学

摘要:本发明公开了一种基于NBTI效应的ADC电路退化评估方法及相关装置,方法包括:基于ADC电路的电路特性确定主流模型,并构建目标NBTI失效等效电路模型;依次对ADC工作电路及其每个模块电路分别进行退化前仿真和退化后仿真,逐步对每个模块电路的不同类别PMOS管进行退化仿真;确定电路的关键退化电路和关键退化器件。本发明通过目标NBTI失效等效电路模型将NBTI效应对电路晶体管的影响由等效电路的形式表征出来;以整体‑局部的仿真方式,研究多个器件衰退下的耦合关系,通过仿真结果来衡量NBTI效应对电路的性能影响,找到关键退化器件和关键退化电路,从而系统且全面地评估NBTI效应对ADC电路的退化可靠性。

主权项:1.一种基于NBTI效应的ADC电路退化评估方法,其特征在于,所述方法包括:基于ADC电路的电路特性确定主流模型,并构建目标NBTI失效等效电路模型;搭建ADC工作电路,并基于所述目标NBTI失效等效电路模型依次对所述ADC工作电路及其每个模块电路分别进行NBTI效应退化前仿真和NBTI效应退化后仿真,得到初仿真结果和退化后仿真结果;逐步对每个模块电路的不同类别PMOS管进行NBTI效应退化仿真,得到各模块电路的性能仿真结果;根据所有所述初仿真结果、所述退化后仿真结果和所述各模块电路的性能仿真结果,确定所述ADC工作电路的关键退化电路和关键退化器件。

全文数据:

权利要求:

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