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申请/专利权人：法国原子能和替代能源委员会;索泰克公司
摘要：本发明涉及一种衬底3，所述衬底包括基于半导体材料的第一层30和在第一层上方的第二层31。所述衬底3包括在第一层30的区段上从第二层31延伸的多个掩埋通孔32，各个通孔32由侧壁320、底壁321和与底壁321相反的上壁322限定，并且多个通孔32的至少一个组件32a形成沿第一层30和第二层31的主延伸平面的至少一个方向重复的图案32b。衬底3因此形成通用衬底，使得可以方便地使用通孔来制造微电子器件。
主权项：1.一种衬底3，所述衬底包括：·基于半导体材料的第一层30，·位于所述第一层30上方的第二层31，其特征在于，所述衬底3包括从所述第二层31在所述第一层30的部分上延伸的多个掩埋通孔32，各个通孔32由侧壁320、底壁321以及与所述底壁321相反的上壁322来界定，并且所述多个通孔32的至少一个组件32a形成沿所述第一层30和所述第二层31的主延伸平面的至少一个方向重复的图案32b。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 法国原子能和替代能源委员会 索泰克公司 包括通孔的衬底及相关制造方法
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