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申请/专利权人：天通控股股份有限公司;天通凯巨科技有限公司
摘要：本发明属于晶片材料加工技术领域，具体涉及一种大尺寸钽酸锂晶片单面抛光加工固定方法，包括如下步骤：将晶片和陶瓷盘分别进行清洗；将晶片和陶瓷盘烘干，并将双面胶带背面的压敏胶贴于陶瓷盘表面；将晶片贴于双面胶带正面的热解粘胶，并加压固定；抛光加工；陶瓷盘加热后取出晶片，最终得到表面无损伤的大尺寸钽酸锂晶片。本发明通过采用双面胶带粘贴晶片，并配合设计抛光加工参数，保证了粘贴强度、稳定性以及晶片的抛光质量，有效解决了现有单面抛光工艺中大尺寸晶片固定时晶片易损伤、抛光后取片困难的问题。
主权项：1.一种大尺寸钽酸锂晶片单面抛光加工固定方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤a：将晶片和陶瓷盘分别清洗，其中晶片直径大于100mm；步骤b：将步骤a处理后的晶片及陶瓷盘烘干，将双面胶带背面离型膜撕开，并将双面胶带背面的压敏胶贴覆于陶瓷盘表面，对贴覆表面进行压实；步骤c：将双面胶带正面离型膜撕开，双面胶带正面为热解粘胶，将陶瓷盘加热至58～62℃，将晶片背面贴覆于双面胶带正面，对贴覆表面进行加压，待陶瓷盘温度降至40℃以下后停止加压；步骤d：检验陶瓷盘、双面胶带、晶片接触面无气泡、无皱褶后，将步骤c的陶瓷盘放于抛光台上进行抛光加工，抛光压力为100gcm2～500gcm2，抛光液流量为5～10Lmin，晶片温度保持在25～30℃；步骤e：抛光完成后，将陶瓷盘取出并加热至63～65℃，使用真空吸笔取下晶片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天通控股股份有限公司 天通凯巨科技有限公司 一种大尺寸钽酸锂晶片单面抛光加工固定方法
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