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申请/专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
摘要：一种新型高线性度纳米线沟道器件及其制备方法，结构包括由下至上依次层叠设置的衬底层、GaN缓冲层和AlGaNAlN势垒层，AlGaNAlN势垒层两端分别沉积源、漏电极，势垒层上近源电极一侧沉积梭形栅极，势垒层上设置若干纳米线沟道，源接入区形成n型重掺杂，梭形栅极两侧沉积侧墙；方法包括依次层叠的衬底层、缓冲层和势垒层；势垒层上两端分别制备源、漏电极；器件表面沉积Si3N4掩膜层；源漏之间形成若干间隔排列的条状掩膜层；光刻后显影出梭形栅的轮廓；去掉栅区域的掩膜层，露出间隔排列的凹槽，形成Fin‑HEMT结构；间隔排列的凹槽上制备梭形栅极；去掉器件表面的掩膜层；梭形栅极边缘形成侧墙，源接入区进行离子注入形成n型重掺杂；本发明具有高线性度、工艺简单的优点。
主权项：1.一种新型高线性度纳米线沟道器件，其特征在于，包括由下至上依次层叠设置的衬底层1、GaN缓冲层2和AlGaNAlN势垒层3，所述AlGaNAlN势垒层3的两端分别沉积有源电极4和漏电极5，位于AlGaNAlN势垒层3上的靠近源电极4一侧沉积有梭形栅极6，AlGaNAlN势垒层3上沿着栅宽方向设置中间宽两边窄的若干纳米线沟道10，梭形栅极6包围纳米线沟道10，纳米线沟道10的源接入区进行离子注入形成n型重掺杂8，梭形栅极6的两侧沉积有侧墙7。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 西安电子科技大学广州研究院 一种新型高线性度纳米线沟道器件及其制备方法
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