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申请/专利权人：昆山中辰矽晶有限公司
摘要：本发明公开了一种半导体硅晶圆Poly后接触点破裂的解决方法，本方法主要涉及硅晶圆生产制造过程领域，包括石英舟载体和放置在支撑舟上的硅片，在所诉的支撑舟和硅片的接触点区域制造一个粗糙接触面，所诉接触面使用金刚石粉∶水＝1KG∶2L的混合浆料，在2KG的压力下进行表面喷砂处理。经此工艺处理得到的微观粗糙表面在Poly过程中起到减少Poly沉积的作用，避免了Poly后硅片接触点破裂，从而提高硅片生产的良率。
主权项：1.一种解决半导体硅晶圆Poly后接触点破裂的方法，其特征在于，所述方法包括支撑舟1，放置在舟上的硅晶圆2.其特征在于所诉支撑舟1和紧密接触的硅晶圆2之间有一个一定粗度的表面，所诉表面由金刚石粉∶水＝1KG∶2L，在2KG的压力下喷射支撑舟沟槽3表面，形成一定粗度的接触面，此接触面在Poly过程中起到减少poly沉积的作用。
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权利要求：
百度查询： 昆山中辰矽晶有限公司 一种解决半导体硅晶圆Poly后接触点破裂的方法
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