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申请/专利权人：浙江创芯集成电路有限公司
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：基底，所述基底内具有漂移区；栅极结构，位于所述基底上；第一介质层，位于所述基底上，且覆盖所述栅极结构；凸起结构，位于所述栅极结构的一侧的第一介质层上，所述凸起结构具有多个凸起部；场板，与所述凸起结构的凸起部一一对应的相接触。采用上述技术方案，通过不同场板之间的耦合作用，可以调制漂移区的电场分布，并且场板与基底之间包括第一介质层和凸起部，使得场板下方具有更高的厚度，可以减弱场板下方的电场，使得漂移区的电场得到进一步优化，能够提升击穿电压，进而提高半导体结构的性能。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底内具有漂移区；栅极结构，位于所述基底上；第一介质层，位于所述基底上，且覆盖所述栅极结构；凸起结构，位于所述栅极结构的一侧的第一介质层上，所述凸起结构具有多个凸起部；场板，与所述凸起结构的凸起部一一对应的相接触。
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百度查询： 浙江创芯集成电路有限公司 半导体结构及其形成方法
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