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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：一种Ka波段低损耗自偏置复合铁氧体材料及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。所述复合铁氧体材料包括NiZn和BaM铁氧体材料；NiZn铁氧体材料包括40~60mol%NiO、1~5mol%CuO、1~5mol%ZnO、40~50mol%Fe2O3；BaM铁氧体材料包括10~20mol%BaO、1~10mol%ZnO、1~5mol%La2O3、1~10mol%CuO、60~75mol%Fe2O3。本发明制得的Ka波段低损耗自偏置复合铁氧体材料兼具高4πMs、MrMs、Ha、Hc和低ΔH、tanδε特性，适用于Ka波段微集成环行器的设计和应用。
主权项：1.一种Ka波段低损耗自偏置复合铁氧体材料，其特征在于，包括主相和掺杂剂；主相包括NiZn铁氧体材料和BaM铁氧体材料，其中NiZn铁氧体材料包括40~60mol%NiO、1~5mol%CuO、1~5mol%ZnO、40~50mol%Fe2O3，BaM铁氧体材料包括10~20mol%BaO、1~10mol%ZnO、1~5mol%La2O3、1~10mol%CuO、60~75mol%Fe2O3；NiZn铁氧体材料和BaM铁氧体材料的质量比为1:1~1:4；掺杂剂占主相的重量百分比，以氧化物计算：0.1~0.5wt.%CuO和0.1~0.5wt.%SiO2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种Ka波段低损耗自偏置复合铁氧体材料及制备方法
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