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申请/专利权人：重庆邮电大学
摘要：本发明涉及一种抑制阈值电压漂移的p‑GaNHEMT器件，属于半导体技术领域。本发明器件栅极采用肖特基欧姆混合接触，对位于势垒层上方的p‑GaN层进行凹槽刻蚀，刻蚀出两个凹槽，凹槽使用氮化物进行填充，使得p‑GaN层整体形状为“ш”形，从而分离出三个栅极。其中两边的靠近源漏的栅极采用肖特基接触，形成肖特基势垒，中间的栅极采用欧姆接触，形成高阻区。当器件承受漏极高压偏置应力时，p‑GaN层会产生电荷积累现象，积累的电荷可以通过中间的欧姆栅极高阻区释放出去，减轻电荷积累效应，达到抑制阈值电压漂移的目的，而因为两边栅极肖特基势垒的存在可以在保证抑制阈值电压漂移的同时，保证整体栅控能力。
主权项：1.一种抑制阈值电压漂移的p-GaNHEMT器件，包括衬底层1、AlGaN缓冲层2、GaN沟道层3、AlGaN势垒层4、金属源极5、钝化层10、p-GaN层6和金属漏极11，所述衬底层1、AlGaN缓冲层2、GaN沟道层3和AlGaN势垒层4从下至上依次层叠设置，所述金属源极5、金属漏极11、p-GaN层6和钝化层10设置在AlGaN势垒层4上表面，其中金属源极5、金属漏极11位于左右两侧，p-GaN层6位于金属源极5与金属漏极11之间，所述钝化层10位于金属源极5与p-GaN层6之间，以及p-GaN层6与金属漏极11之间；其特征在于，该器件还包括靠近源极的肖特基栅极7、欧姆栅极8和靠近漏极的肖特基栅极9；对p-GaN层6进行凹槽刻蚀，刻蚀出两个凹槽，凹槽深度不超过p-GaN层6下表面，使得p-GaN层6整体形状为“ш”形，从而分离出三个栅极，即靠近源极的肖特基栅极7、靠近漏极的肖特基栅极9和中间的欧姆栅极8；靠近源极的肖特基栅极7与靠近漏极的肖特基栅极9均采用肖特基接触，欧姆栅极8采用欧姆接触；所述p-GaN层6的上表面覆盖有金属电极，作为器件的栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆邮电大学 一种抑制阈值电压漂移的p-GaN HEMT器件
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