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申请/专利权人：山西第三代半导体技术创新中心有限公司
摘要：本发明提供一种连续生长碳化硅坩埚装置，涉及碳化硅单晶制备技术领域，包括籽晶提升杆和坩埚机构，所述籽晶提升杆的底端安装有坩埚机构，所述坩埚机构的外侧设置有感应线圈，通过坩埚机构的设置，在使用时，移动感应线圈位置，使得热场中不同位置的碳化硅粉料逐步进行升华，然后通过多孔石墨桶到达籽晶表面，进而结晶为碳化硅单晶，从而实现碳化硅晶体连续生长，由于石墨坩埚长度大于感应线圈高度，石墨坩埚可以达到局部受热，可以有效地提高生长区域的温度分布均匀性和稳定性，进而提高碳化硅晶体的质量和生长效率，通过分区保温的设置，提供更有效的保温隔热效果，同时保持了生长过程中的温度稳定性，进而提高了生长过程的能源利用效率。
主权项：1.一种连续生长碳化硅坩埚装置，包括籽晶提升杆（1）和坩埚机构（2），其特征在于：所述籽晶提升杆（1）的底端安装有坩埚机构（2），所述坩埚机构（2）的外侧设置有感应线圈（3）；所述坩埚机构（2）包括碳化硅限位环（21）、多孔石墨桶（22）、分区保温（23）、下保温提拉杆（24）、粉料分隔板（25）、石墨坩埚（26）、上保温（27）、侧保温（28）和热场下保温（29），所述籽晶提升杆（1）的底端安装有碳化硅限位环（21），所述碳化硅限位环（21）的底端安装有多孔石墨桶（22），所述多孔石墨桶（22）的内侧设置有分区保温（23），所述分区保温（23）的底端安装有下保温提拉杆（24），所述多孔石墨桶（22）的两侧均安装有多个粉料分隔板（25），多个所述粉料分隔板（25）之间放置有碳化硅粉料（251），所述粉料分隔板（25）的另一侧安装有石墨坩埚（26），所述石墨坩埚（26）的顶端设置有上保温（27），所述石墨坩埚（26）的两侧均设置有侧保温（28），所述石墨坩埚（26）的底端设置有热场下保温（29）。
全文数据：
权利要求：
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