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申请/专利权人：华为技术有限公司
摘要：本申请实施例提供一种芯片封装结构、电子设备及芯片封装结构的封装方法，涉及芯片封装技术领域，可以削弱TSV对电子器件性能的影响程度。该芯片封装结构可以包括：第一器件芯片、支撑芯片和第二器件芯片；第二器件芯片通过键合层堆叠在支撑芯片上，第一器件芯片设置在第二器件芯片的背离支撑芯片的一侧。支撑芯片和第二器件芯片内贯通有导电通道；支撑芯片包括第一衬底，第二器件芯片包括第二衬底和形成在第二衬底上的电子器件层；第一衬底的厚度大于第二衬底的厚度；位于第一衬底中的第一段导电通道的孔径，大于位于第二器件芯片中的第二段导电通道的孔径。这样的话，通过在第二器件芯片中贯通较小孔径的导电通道，以降低对电子器件的影响。
主权项：一种芯片封装结构，其特征在于，包括：第一器件芯片；支撑芯片和第二器件芯片，所述第二器件芯片通过键合层堆叠在所述支撑芯片上，所述第一器件芯片设置在所述第二器件芯片的背离所述支撑芯片的一侧；导电通道，所述导电通道沿所述支撑芯片和所述第二器件芯片的堆叠方向，贯通所述支撑芯片和所述第二器件芯片，且所述导电通道与所述第一器件芯片电连接；所述支撑芯片包括第一衬底，所述第二器件芯片包括第二衬底和形成在所述第二衬底上的电子器件层，所述电子器件层位于所述第二衬底的背离所述第一衬底的一侧；所述第一衬底的厚度大于所述第二衬底的厚度；在所述导电通道中，位于所述第一衬底中的第一段导电通道的孔径，大于位于所述第二器件芯片中的第二段导电通道的孔径。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华为技术有限公司 芯片封装结构、电子设备及芯片封装结构的封装方法
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