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申请/专利权人：浙江广芯微电子有限公司
摘要：本发明公开了一种沟槽肖特基结构的二极管柔性加工管控方法及平台，属于二极管加工领域，其中方法包括：确定待刻蚀单晶层以及待刻蚀单晶层上的金属硅化物层；确定沟槽结构参数，根据沟槽结构参数判断沟槽是否为双层刻蚀沟槽，若沟槽为双层刻蚀沟槽，启动柔性加工管控模块，柔性加工管控模块以沟槽结构参数进行分模式沟槽刻蚀。本申请解决了现有技术中针对沟槽肖特基结构的二极管在不同材质层进行沟槽刻蚀时，因材质差异导致的沟槽缺陷和不稳定性的技术问题，通过采用针对不同材质的分模式柔性加工管控，实现沟槽在不同材质间的连续稳定形成，减少了沟槽缺陷，达到提高沟槽肖特基结构二极管性能和良率的技术效果。
主权项：1.一种沟槽肖特基结构的二极管柔性加工管控方法，其特征在于，所述方法包括：确定待刻蚀单晶层以及所述待刻蚀单晶层上的金属硅化物层；确定沟槽结构参数，根据所述沟槽结构参数判断沟槽是否为双层刻蚀沟槽，若所述沟槽为双层刻蚀沟槽，启动柔性加工管控模块，所述柔性加工管控模块以所述沟槽结构参数进行分模式沟槽刻蚀；其中，所述柔性加工管控模块根据第一柔性加工模式对所述金属硅化物层进行沟槽刻蚀，若所述柔性加工模块的传感器检测到材质变更，由所述第一柔性加工模式切换至第二柔性加工模式对所述待刻蚀单晶层进行沟槽刻蚀。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江广芯微电子有限公司 一种沟槽肖特基结构的二极管柔性加工管控方法及平台
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