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申请/专利权人：江苏通用半导体有限公司
摘要：本发明公开了碳化硅晶锭激光剥离设备及激光剥离方法，包括研磨机构、毛化机构、至少两个改质机构、剥离测试机构以及收集机构。优点：通过研磨机构对晶锭进行粗磨和精磨，能保证晶锭的平面精度，晶锭先经过毛化处理再进行改质机构改质，使得改质层进行脉冲激光多次扫面聚焦成型，能够有效保证改质产生的改质点与改质裂纹有效连成面，便于剥离；毛化作用点阻断了多次改质过程中改质裂纹的向下延展，从而有效地控制了最终改质层的厚度，能够有效减少晶锭的损耗，提高切割效率并降低材料浪费；通过剥离测试机构对晶片进行吸附后横向移动进行剥离，不仅可以检测出未剥离的晶片，还能够保证未剥离成功的晶片不会被损坏。
主权项：1.碳化硅晶锭激光剥离设备，其特征在于：包括研磨机构1、毛化机构3、至少两个改质机构4、剥离测试机构6以及收集机构5，所述研磨机构1用于对晶锭进行粗磨和精磨，所述毛化机构3用于对晶锭毛化处理，所述改质机构4用于对毛化后的晶锭进行改质，所述剥离测试机构6用于对改质形成的晶片进行剥离以及剥离测试，所述收集机构5用于对晶片进行收集；所述毛化机构3包括三号机台31、设置在三号机台31上的三号XY双轴移动平台32、受三号XY双轴移动平台32驱动的三号载台33、设置在三号机台31上的三号支架34、设置在三号机台31上的三号接料组件36、设置在三号支架34上的三号吸放晶锭组件35、设置在三号支架34上的三号激光照射单元37，所述三号激光照射单元37包括设置在三号支架34上的三号激光器371、三号上光学箱372、三号下光学箱373、设置在三号下光学箱373上的三号激光照射物镜374以及三号位移传感器375。
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