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申请/专利权人：成都沃特塞恩电子技术有限公司
摘要：本发明提供了一种放电腔结构、化学气相沉积设备及放电腔结构冷却方法，属于化学气相沉积设备领域。上述放电腔结构包括：腔体、样品台、及冷却容器，腔体包括底板；样品台设置在腔体中，用于放置待镀膜的基片。冷却容器设置在样品台的下方，并与底板或样品台的底部密封连接；冷却容器用于盛放冷却介质，冷却容器内的冷却介质能够直接对样品台的底部进行冷却。冷却容器内还设置有喷水组件，喷水组件能够对样品台的底部进行喷淋。当样品台的温度高于预设温度阈值时，采用流动水浸泡式冷却；当样品台的温度低于预设温度阈值时，采用喷淋式冷却或气流冷却，也可以采用二者混合冷却，此时，在控制样品台温度的同时，还节约了水资源。
主权项：1.一种放电腔结构，其特征在于，包括：腔体，所述腔体包括圆形的底板；样品台，所述样品台为圆形，并设置在所述腔体中，用于放置待镀膜的基片；冷却容器，所述冷却容器设置在所述样品台的下方，并与所述底板或所述样品台的底部密封连接；所述冷却容器用于盛放冷却介质，所述冷却介质能够直接对所述样品台的底部进行冷却；所述冷却容器内还设置有喷水组件，所述喷水组件包括喷水头，所述喷水头位于所述样品台的下方，能够对样品台的底部进行喷淋；所述冷却容器设置有进水管、排水管、进气管和排气管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都沃特塞恩电子技术有限公司 放电腔结构、化学气相沉积设备及放电腔结构冷却方法
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