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申请/专利权人：华中科技大学;株洲瀚捷航空科技有限公司
摘要：本发明涉及压电超声传感器技术领域，尤其涉及一种用于压电超声传感器的ZnO压电薄膜的制备方法。所述方法是以单晶硅或GH2132合金为基底，采用磁控溅射方法在基底表面沉积绝缘层，然后在沉积绝缘层表面沉积ZnO压电薄膜，对ZnO压电薄膜进行退火处理，得到目标产物。本发明方法通过增加退火处理后，得到优异压电特性的ZnO压电薄膜，其在超声压电传感器超声检测领域有广泛的应用前景。
主权项：1.一种用于压电超声传感器的ZnO压电薄膜的制备方法，其特征在于：以单晶硅或GH2132合金为基底，采用磁控溅射方法在基底表面沉积绝缘层，然后在沉积绝缘层表面沉积ZnO压电薄膜，对ZnO压电薄膜进行退火处理，得到目标产物。
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百度查询： 华中科技大学 株洲瀚捷航空科技有限公司 一种用于压电超声传感器的ZnO压电薄膜的制备方法
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