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申请/专利权人：新唐科技日本株式会社
摘要：一种功率放大半导体装置100，以3GHz以上的频率来工作，其具备：基板101；半导体层102，被设置在基板101的正面且包括多个单位HEMT；连接层L1，被设置在半导体层102上且包括单位HEMT的源极电极301、漏极电极302和栅极电极303；端子层L2，包括设置在连接层L1上的源极焊盘701a、漏极焊盘702a和栅极焊盘703a；背面电极103，被设置在基板101的背面上且被设定为源极电位；基板过孔901，贯通基板101且在内壁上具有屏蔽布线层503，功率放大半导体装置100还具有漏极汇集部702和栅极汇集部703，在平面视图中，漏极汇集部702以及栅极汇集部703的任一方或双方的周围由基板过孔901包围。
主权项：1.一种功率放大半导体装置，是多个单位HEMT并联连接的以3GHz以上的频率来工作的功率放大半导体装置，所述HEMT是HighElectronMobilityTransistor即高电子迁移率晶体管，所述功率放大半导体装置具备：基板；半导体层，被设置在所述基板的正面，且包括所述多个单位HEMT；连接层，被设置在所述半导体层上，且包括所述单位HEMT的源极电极、漏极电极和栅极电极；端子层，被设置在所述连接层上，且包括经由布线层的第一部分来与所述源极电极、所述漏极电极和所述栅极电极连接的源极焊盘、漏极焊盘和栅极焊盘；背面电极，被设置在所述基板的背面，且其电位被设定为与所述源极电极相同的源极电位；以及基板过孔，贯通所述基板，在该基板过孔的内壁上具有屏蔽布线层，该屏蔽布线层是被设定为所述源极电位的所述布线层的第二部分，所述漏极电极和所述栅极电极与所述单位HEMT相对应地分别为多个，所述功率放大半导体装置具有：漏极汇集部，该漏极汇集部用于多个所述漏极电极在所述布线层的第三部分被集合连接布线；以及栅极汇集部，该栅极汇集部用于多个所述栅极电极在所述布线层的第四部分被集合连接布线，在所述基板的平面视图中，所述漏极汇集部以及所述栅极汇集部的任一方或双方的周围由所述基板过孔包围。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 新唐科技日本株式会社 功率放大半导体装置
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