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申请/专利权人：珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
摘要：本发明提出了碳化硅晶圆的热氧化层制备方法、碳化硅器件的加工方法。其中碳化硅晶圆的热氧化层制备方法，多个碳化硅晶圆间隔排列，所述碳化硅晶圆具有相对设置的第一表面和第二表面，且相邻的两块碳化硅晶圆的第一表面和第二表面相对，在所述第一表面上进行离子注入处理、调节所述第一表面内掺杂离子剂量和能量后，再在所述碳化硅晶圆的第二表面制备热氧化层。本发明可以使得相邻碳化硅之间即便存在影响，也可以实现均匀的热氧化层。
主权项：1.一种碳化硅晶圆的热氧化层制备方法，多个碳化硅晶圆间隔排列，所述碳化硅晶圆具有相对设置的第一表面和第二表面，且相邻的两块碳化硅晶圆的第一表面和第二表面相对，其特征在于，在所述第一表面上进行离子注入处理、调节所述第一表面内掺杂离子剂量和能量后，再在所述碳化硅晶圆的第二表面制备热氧化层。
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百度查询： 珠海格力电子元器件有限公司 珠海格力电器股份有限公司 碳化硅晶圆的热氧化层制备方法、碳化硅器件的加工方法
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