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申请/专利权人：四川大学
摘要：本发明提出一种新型的CdTe太阳电池铜和硒掺杂方法，涉及铜和硒掺杂技术领域，包括：在冰浴条件下，通过混合Na2S2O3·5H2O、CuSO4·5H2O和KSeCN制备了CuSeCN粉末，在多次纯化后，采用旋涂的制膜工艺在CdTe背面制备了微米级别的薄膜，器件在退火后由于Se和Cu的扩散作用形成了CdSexTe1‑x合金层并实现了高性能的转换效率，本发明开发了具有Cu和Se双重激活的新材料，提高了载流子提取率，降低了器件的肖特基势垒，制备了带隙可测的CdSexTe1‑x合金层，此外，用CuSeCN处理的CdTe薄膜表现出比用CuSCNCdSe双层处理的器件更高的效率。
主权项：1.一种新型的CdTe太阳电池铜和硒掺杂方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、太阳电池背接触层材料的制备在空气条件下，将CuSO4·5H2O和Na2S2O3·5H2O溶解在DI水中，搅拌至完全溶解，得到前驱体溶液，然后在冰浴条件下，将KSeCN溶解在DI水中并迅速将其加入前驱体溶液内，再次进行搅拌反应，反应完成后，收集CuSeCN的灰白色沉淀物，进行纯化处理，得到CuSeCN粉末；步骤二、CuSeCN氨水旋涂液的制备将步骤一中得到的CuSeCN粉末溶解在氨水溶液中，得到CuSeCN氨水旋涂液，然后进行过滤处理，得到澄清的CuSeCN氨水旋涂液；步骤三、太阳电池背表面薄膜的制备在空气条件下，将步骤二中得到澄清的CuSeCN氨水旋涂液，在CdTe太阳电池背接触表面上沉积p型CuSeCN薄膜，当CdTe太阳电池薄膜沉积完成后，进行热激活处理，完成铜激活的同时得到高性能的CdSexTe1-x合金层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 四川大学 一种新型的CdTe太阳电池铜和硒掺杂方法
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