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申请/专利权人：温州核芯智存科技有限公司
摘要：本发明公开了一种存储单元读写控制方法、提升存储器稳定性方法及其装置，涉及存储器领域，存储单元的读写控制方法包括在写入操作之前将所述存储单元中电容的第一极板设置为第一电平；所述第一电平与读取操作后的所述电容的第二极板的第二电平状态相同。本发明通过在存储单元进行读取操作之后，写入操作之前，将存储单元的位线都设置为高电平，使得在进行回写和反数据写的过程中，写数据“0”的有效时间相同。
主权项：1.一种存储单元的读写控制方法，其特征在于：包括，在写入操作之前将所述存储单元中电容的第一极板设置为第一电平；所述第一电平与读取操作后的所述电容的第二极板的第二电平状态相同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 温州核芯智存科技有限公司 存储单元读写控制方法、提升存储器稳定性方法及其装置
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