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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本申请涉及一种反熔丝单元、反熔丝阵列结构及反熔丝存储器件。其中，反熔丝单元包括：选择晶体管，包括栅极以及分别位于所述栅极两侧的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区中的一者为源区，另一者为漏区，所述第一掺杂区用于连接位线；反熔丝器件，包括编程导线、导电结构以及设置于所述编程导线与所述导电结构之间的反熔丝介质部；所述导电结构在所述第二掺杂区上方并与所述编程导线相对设置，且所述导电结构连接所述第二掺杂区。本申请实施例可以使得反熔丝器件的击穿位置稳定性更高，从而可以提高器件稳定性。
主权项：1.一种反熔丝单元，其特征在于，包括：选择晶体管，包括栅极以及分别位于所述栅极两侧的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区中的一者为源区，另一者为漏区，所述第一掺杂区用于连接位线；反熔丝器件，包括编程导线、导电结构以及设置于所述编程导线与所述导电结构之间的反熔丝介质部；所述导电结构在所述第二掺杂区上方并与所述编程导线相对设置，且所述导电结构连接所述第二掺杂区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 反熔丝单元、反熔丝阵列结构及反熔丝存储器件
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