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申请/专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司

摘要：本发明公开了一种单片反激式转换器及控制芯片，属于半导体技术领域。本发明提供的单片反激式转换器及控制芯片，包括芯片及外围电路；芯片外部，包括变压器，续流二极管，输出电容，用于设置输出电压的电阻；芯片内部，采用功率管集成方案，容易实现对功率管的检测，同时也提高了集成度。本发明采用原边反馈方式，省去了辅助绕组采样，直接利用功率管漏端进行谐振采样。本发明提供的单片反激式转换器及控制芯片，无需光耦+TL431等组件，无需辅助绕组采样，无需外部环路补偿，能够尽可能的减少外围组件，功率管集成于芯片内部，大大降低成本的同时，极大地缩小了方案的体积。本发明采用脉冲频率调制控制方式，极大地提升了系统的轻载效率。

主权项：1.一种单片反激式转换器及控制芯片，其特征在于：包括芯片及外围电路；所述芯片具有引脚VIN、VFB、VREF、DRAIN及GND；所述芯片内部至少包括低压差线性稳压器和偏置模块、边界采样模块、误差放大器模块、振荡器模块、驱动模块、Ton模块、RS触发器、与门、MOS管N、MOS管P1~P2、偏置电流Ib及电容C；所述外围电路至少包括变压器、二极管D、电容Cout、电阻R1及电阻R2；在所述芯片内部，所述MOS管P1的栅极与所述MOS管P2的栅极相连，所述MOS管P1的源极连接VIN引脚，所述MOS管P2的源极连接VFB引脚，所述MOS管P1的漏极连接所述偏置电流Ib后接地，所述MOS管P2的漏极连接VREF引脚；所述低压差线性稳压器和偏置模块的输入端与所述MOS管P1的源极相连，所述低压差线性稳压器和偏置模块的输出端分别产生VDD电压、1V电压、Vref电压以及偏置电流；所述边界采样模块的输入端与所述MOS管P2的漏极相连，所述边界采样模块的第一输出端连接至所述与门的第一输入端，所述边界采样模块的第二输出端连接至所述误差放大器模块的负输入端，所述误差放大器模块的正输入端连接1V电压，所述误差放大器模块的输出端分别与所述振荡器模块的输入端以及所述Ton模块的负输入端相连，所述电容C连接在所述误差放大器模块的输出端与地之间，所述Ton模块的正输入端与所述MOS管N的漏极相连，所述Ton模块的输出端连接至所述RS触发器的R端，所述振荡器模块的输出端连接至所述与门的第二输入端，所述与门的输出端连接至所述RS触发器的S端，所述RS触发器的输出端连接至所述驱动模块的输入端，所述驱动模块的输出端与所述MOS管N的栅极连接；所述MOS管N的漏极连接DRAIN引脚，所述MOS管N的源极连接GND引脚；在所述外围电路中，所述变压器的原边绕组的第一端连接VIN引脚，所述变压器的原边绕组的第二端连接DRAIN引脚，所述变压器的副边绕组的第一端串联所述二极管D后与输出电压相连，所述变压器的副边绕组的第二端接地，所述电容Cout连接在输出电压与地之间，所述电阻R1连接在VFB引脚与DRAIN引脚之间，所述电阻R2连接在VREF引脚与GND引脚之间；所述VIN引脚与输入电压相连，所述GND引脚接地。

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