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申请/专利权人：罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司

摘要：本发明涉及一种ARVR全彩Micro‑LED显示装置及其制备方法，涉及半导体显示技术领域。在本申请的ARVR全彩Micro‑LED显示装置的制备方法中，通过设置层叠设置的第一保护层、第二保护层以及第三保护层，且第二保护层的密度大于第一保护层的密度，且所述第二保护层中临近所述第一保护层的一侧的密度小于所述第二保护层的另一侧的密度，且两侧密度差为0.6‑1.5gcm3；所述第三保护层的密度大于所述第二保护层的所述另一侧的密度，通过设置密度逐渐变化的第二保护层，进而使得第二保护层的致密性逐渐提高，有效保护第一保护层的同时，使得第二保护层的外表面的刚性增加，且第三保护层的刚性更大，进而在后续转移工序以及使用过程中，有效保护Micro‑LED芯片。

主权项：1.一种ARVR全彩Micro-LED显示装置的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：提供一生长衬底，在所述生长衬底上外延生长外延功能层；接着在所述外延功能层上形成多个第一电极和多个第二电极，以形成Micro-LED晶圆；接着对所述Micro-LED晶圆进行切割处理以形成多个Micro-LED芯片，接着进行扩晶处理以增大相邻Micro-LED芯片之间的间距，且使得每个所述Micro-LED芯片包括一个第一电极和一个第二电极；接着将扩晶处理后的多个所述Micro-LED芯片转移至载板上，且使得每个所述Micro-LED芯片的第一电极和第二电极均朝向所述载板；接着在每个所述Micro-LED芯片的侧面和顶面形成第一保护层，所述第一保护层中具有微孔结构；接着通过磁控溅射工艺在第一保护层上沉积金属材料，以在所述第一保护层中的所述微孔结构中形成金属微粒，然后去除所述每个所述Micro-LED芯片的所述顶面的第一保护层；接着在所述第一保护层上以及每个所述Micro-LED芯片的顶面上形成第二保护层，所述第二保护层的密度大于所述第一保护层的密度，且所述第二保护层中临近所述第一保护层的一侧的密度小于所述第二保护层的另一侧的密度，且两侧密度差为0.6-1.5gcm3；接着在所述第二保护层上形成第三保护层，所述第三保护层的密度大于所述第二保护层的所述另一侧的密度；接着提供一驱动基板，利用转印装置将所述Micro-LED芯片转移至所述驱动基板，使得所述Micro-LED芯片的所述第一电极和所述第二电极与所述驱动基板的导电线路电连接；接着形成封装层，以形成ARVR全彩Micro-LED显示装置。

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权利要求：

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