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申请/专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
摘要：本发明公开了一种背接触电池及其制造方法，涉及光伏技术领域，用于增大背接触电池中背光面一侧的光线利用率。背接触电池包括硅基底、以及形成在硅基底背光面一侧的部分区域上的第一掺杂半导体层。硅基底的背光面中与第一掺杂半导体层接触的区域为第一区域，其余区域为第二区域。第二区域上形成有相对于第一区域的表面向硅基底内凹入的凹槽结构。第一掺杂半导体层与第二区域相邻的端部悬空设置。凹槽结构的侧壁中，靠近槽口的部分表面与水平面倾斜设置，靠近槽口的部分表面与靠近槽底的部分表面之间具有与水平面平行设置的平面；第一掺杂半导体层中悬空设置的端部覆盖在凹槽结构的侧壁中靠近槽口且与水平面倾斜设置的部分的上方。
主权项：1.一种背接触电池，其特征在于，包括：硅基底、以及形成在硅基底背光面一侧的部分区域上的第一掺杂半导体层；其中，所述硅基底的背光面中与所述第一掺杂半导体层接触的区域为第一区域，其余区域为第二区域；所述第一区域和所述第二区域交替分布；所述第二区域上形成有相对于所述第一区域的表面向所述硅基底内凹入的凹槽结构；所述第一掺杂半导体层与所述第二区域相邻的端部悬空设置；所述凹槽结构的侧壁中，靠近槽口的部分表面与水平面倾斜设置；所述第一掺杂半导体层中悬空设置的端部覆盖在所述凹槽结构的侧壁中靠近槽口且与水平面倾斜设置的部分的上方；所述凹槽结构的侧壁中，靠近槽口的部分表面与靠近槽底的部分表面之间具有与水平面平行设置的平面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 隆基绿能科技股份有限公司 一种背接触电池及其制造方法
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