龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明提供了半导体器件及其制作方法，在去除金属氧化物之前，先在互连插孔侧壁的表面生长碳氮化钨，碳氮化钨层具有选择性生长特性，即导电性越强，其越不容易生长，因此其能够在互连插孔侧壁有效生长，而在金属层表面则不会生长或生长相对较薄厚度。在对金属氧化物进行还原去除时，碳氮化钨层对互连插孔侧壁起到隔离保护作用，避免第二层间介质层被相应杂质侵入而发生化学反应，导致k值增加，最终有效保持第二层间介质层的有效k值，避免RC延迟增加，有效保持半导体器件性能。
主权项：1.一种半导体器件制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一层间介质层及形成于所述第一层间介质层中的金属层；在所述第一层间介质层及金属层上形成第二层间介质层；在所述第二层间介质层中刻蚀互连插孔，所述互连插孔露出所述金属层，并在所述金属层的表面形成残留的金属氧化物；在所述互连插孔的侧壁选择性生长碳氮化钨层；基于所述碳氮化钨层作为保护，对所述金属氧化物进行还原去除；在还原去除所述金属氧化物之后，在所述互连插孔内填充第一互连层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 半导体器件及其制作方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号