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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明提供一种降低氧化层电荷影响的横向变掺杂VariationofLateralDoping，VLD终端设计方法，对氧化层电荷的影响进行模型建立并定量分析，通过增加第二次离子注入来削弱氧化层电荷的影响。通过该方法设计的横向变掺杂终端，能够有效减小氧化层电荷的影响，提高器件长期工作中的可靠性，具有良好的实用价值。
主权项：1.一种降低氧化层电荷影响的横向变掺杂终端设计方法，对氧化层电荷的影响进行模型建立并定量分析，通过增加第二次离子注入来削弱氧化层电荷的影响，其特征在于包括如下步骤：1取沿着x方向dx长度的终端，终端y轴方向视为PN结，求解其y方向电场分布；定义：从场氧化层区8垂直指向轻掺杂第一导电类型半导体漂移区3的方向为y方向，从场氧化层区8与第二导电类型半导体变掺杂区5交界的平行方向为x方向；2求解氧化层电荷在SiSiO2界面产生的表面势3通过表面势求解氧化层电荷电场E1作用厚度yfx；4根据yfx求解氧化层电荷作用下的击穿电压5根据yfx求解降低氧化层电荷影响所需要增加的电荷面密度ΔQAx以及氧化层电荷作用下的等效电荷面密度QAx′；6设计工艺流程，实现降低氧化层电荷影响的横向变掺杂终端设计方法。
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权利要求：
百度查询： 电子科技大学 降低氧化层电荷影响的横向变掺杂终端设计方法
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