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在非晶形碳膜中的氢减少 

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申请/专利权人:朗姆研究公司

摘要:本文提供了使用包括烃和含卤化物物质的处理气体和脉冲式低频LF功率在衬底上沉积可灰化硬掩模AHM的方法和相关装置的示例。含卤化物物质可降低AHM的氢含量,且使用脉冲式LF功率的等离子体可改善AHM的机械性能。本文中还提供了经退火的硬掩模的示例及用于对硬掩模进行退火的处理的示例。

主权项:1.一种形成可灰化硬掩模AHM膜的方法,其包括:在处理室中接收衬底;使在所述处理室中的所述衬底暴露于处理气体,所述处理气体包括一种或更多种烃前体和一种或更多种含卤化物物质;以及使用所述处理气体通过等离子体增强化学气相沉积PECVD处理而在所述衬底上沉积所述AHM膜,其中所述PECVD处理包括:点燃等离子体,所述等离子体通过双射频RF等离子体源产生,所述双RF等离子体源包括高频HF成分和低频LF成分,其中在沉积期间所述HF成分功率被保持为非脉冲式的,以及其中在沉积期间所述LF成分功率是脉冲式的,具有介于10%与75%之间的占空比。

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