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改善8英寸硅片切割翘曲的方法 

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申请/专利权人:宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

摘要:本发明提供一种改善8英寸硅片切割翘曲的方法,涉及多线切割方法技术领域,在多切割切割过程中,根据晶锭头部、中部、尾部的位置对应设置不同的砂浆流量,且根据晶锭的切割深度,分别调整晶锭头部、中部、尾部的砂浆流量,以对晶锭不同切割区域的砂浆流量进行精确控制,使得晶锭切割过程中,不同位置的散热能力相同,硅片受热相同,不再产生温度差异,进而晶锭切片后warp分布不会出现头高尾低的情况,使得晶锭头、中、尾部的硅片warp分布均匀。

主权项:1.一种改善8英寸硅片切割翘曲的方法,其特征在于,在多切割切割过程中,根据晶锭头部、中部、尾部的位置对应设置不同的砂浆流量,且根据晶锭的切割深度,分别调整晶锭头部、中部、尾部的砂浆流量,以对晶锭不同切割区域的砂浆流量进行精确控制,使得晶锭不同位置的翘曲值稳定。

全文数据:

权利要求:

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