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申请/专利权人：上海鼎泰匠芯科技有限公司
摘要：本申请公开了一种改善SGT源多晶硅填充的方法及SGT器件，属于半导体制造领域，该方法包括：提供具有沟槽的衬底；在沟槽的侧壁和底部沉积绝缘层，形成第一填充空间；在第一填充空间内填充阻挡层；阻挡层的高度低于沟槽的肩部，使沟槽的开口位置的绝缘层暴露；去除开口位置的部分绝缘层，使开口位置的绝缘层的厚度沿朝向开口的方向依次减小，形成倒梯形开口；去除阻挡层，形成具有倒梯形开口的第二填充空间；在第二填充空间内沉积多晶硅，使多晶硅填充整个第二填充空间，形成源多晶硅结构。本申请通过扩大沟槽填充前的开口，形成类似漏斗的倒梯形开口，解决了高深宽比沟槽的多晶硅填充问题，消除了多晶硅填充对器件性能的不良影响。
主权项：1.一种改善SGT源多晶硅填充的方法，其特征在于，包括：提供具有沟槽的衬底；在所述沟槽的侧壁和底部沉积绝缘层，形成第一填充空间；在所述第一填充空间内填充阻挡层；所述阻挡层的高度低于所述沟槽的肩部，使所述沟槽的开口位置的所述绝缘层暴露；去除所述开口位置的部分所述绝缘层，使所述开口位置的所述绝缘层的厚度沿朝向所述开口的方向依次减小，形成倒梯形开口；去除所述阻挡层，形成具有所述倒梯形开口的第二填充空间；在所述第二填充空间内沉积多晶硅，使所述多晶硅填充整个所述第二填充空间，形成源多晶硅结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海鼎泰匠芯科技有限公司 一种改善SGT源多晶硅填充的方法及SGT器件
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