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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种用于纳米探针台的器件接触层制造方法。该用于纳米探针台的器件接触层制造方法包括以下步骤：提供表面覆盖有探针接触层的半导体器件，所述探针接触层包括覆盖在所述半导体器件上的介质层，和形成于所述介质层中的钨栓接触孔结构，所述探针接触层上覆盖有铜互连层，所述钨栓接触孔结构的顶端与所述铜互连层连接；将所述半导体器件置于离子减薄机台内，通过离子束轰击所述铜互连层的上表面，使得所述铜互连层的原子位移，以去除所述铜互连层，钨栓接触孔结构的顶端凸出于剩余介质层的上表面。本申请可以解决相关技术的器件接触层出现接触孔凹陷的问题。
主权项：1.一种用于纳米探针台的器件接触层制造方法，其特征在于，所述用于纳米探针台的器件接触层制造方法包括以下步骤：提供表面覆盖有探针接触层的半导体器件，所述探针接触层包括覆盖在所述半导体器件上的介质层，和形成于所述介质层中的钨栓接触孔结构，所述探针接触层上覆盖有铜互连层，所述钨栓接触孔结构的顶端与所述铜互连层连接；将所述半导体器件置于离子减薄机台内，通过离子束轰击所述铜互连层的上表面，使得所述铜互连层的原子位移，以去除所述铜互连层，钨栓接触孔结构的顶端凸出于剩余介质层的上表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 用于纳米探针台的器件接触层制造方法
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